EEPROM (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких, как PROM и EPROM).
На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена флеш-памятью типа NOR (на элементах ИЛИ-НЕ). Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.
Принцип действия
Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.
Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление инжекции горячих носителей).
Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.
Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания. Некоторые реализации выполнялись в виде одного трёхзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных).
Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор, то, помимо подложки, к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).
Список производителей EEPROM
Примечания
- Технология EEPROM . Дата обращения: 22 июля 2011. 20 марта 2012 года.
Литература
- Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника : учеб. пособие для вузов. — 3-е изд., перераб. и доп. — СПб. : БХВ-Петербург, 2010. — С. 301—305. — .
В другом языковом разделе есть более полная статья EEPROM (англ.). |
Википедия, чтение, книга, библиотека, поиск, нажмите, истории, книги, статьи, wikipedia, учить, информация, история, скачать, скачать бесплатно, mp3, видео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, картинка, музыка, песня, фильм, игра, игры, мобильный, телефон, Android, iOS, apple, мобильный телефон, Samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Сеть, компьютер
EEPROM angl Electrically Erasable Programmable Read Only Memory elektricheski stiraemoe pereprogrammiruemoe PZU ESPPZU odin iz vidov energonezavisimoj pamyati takih kak PROM i EPROM Na segodnyashnij den klassicheskaya dvuhtranzistornaya tehnologiya EEPROM prakticheski polnostyu vytesnena flesh pamyatyu tipa NOR na elementah ILI NE Odnako nazvanie EEPROM prochno zakrepilos za segmentom pamyati maloj yomkosti nezavisimo ot tehnologii Princip dejstviyaPrincip raboty EEPROM osnovan na izmenenii i registracii elektricheskogo zaryada v izolirovannoj oblasti karmane poluprovodnikovoj struktury Izmenenie zaryada zapis i stiranie proizvoditsya prilozheniem mezhdu zatvorom i istokom bolshogo potenciala chtoby napryazhennost elektricheskogo polya v tonkom dielektrike mezhdu kanalom tranzistora i karmanom okazalas dostatochna dlya vozniknoveniya tunnelnogo effekta Dlya usileniya effekta tunnelirovaniya elektronov v karman pri zapisi primenyaetsya nebolshoe uskorenie elektronov putyom propuskaniya toka cherez kanal polevogo tranzistora yavlenie inzhekcii goryachih nositelej Chtenie vypolnyaetsya polevym tranzistorom dlya kotorogo karman vypolnyaet funkciyu zatvora Potencial plavayushego zatvora izmenyaet porogovye harakteristiki tranzistora chto i registriruetsya cepyami chteniya Osnovnaya osobennost klassicheskoj yachejki EEPROM nalichie vtorogo tranzistora kotoryj pomogaet upravlyat rezhimami zapisi i stiraniya Nekotorye realizacii vypolnyalis v vide odnogo tryohzatvornogo polevogo tranzistora odin zatvor plavayushij i dva obychnyh Eta konstrukciya snabzhaetsya elementami kotorye pozvolyayut ej rabotat v bolshom massive takih zhe yacheek Soedinenie vypolnyaetsya v vide dvumernoj matricy v kotoroj na peresechenii stolbcov i strok nahoditsya odna yachejka Poskolku yachejka EEPROM imeet tretij zatvor to pomimo podlozhki k kazhdoj yachejke podhodyat 3 provodnika odin provodnik stolbcov i 2 provodnika strok Spisok proizvoditelej EEPROMMitsubishi Electric Atmel Hitachi Infineon Microchip Technology NXP Semiconductors Renesas Technology Samsung Electronics STMicroelectronics Integral MikronPrimechaniyaTehnologiya EEPROM neopr Data obrasheniya 22 iyulya 2011 20 marta 2012 goda LiteraturaUgryumov E P Cifrovaya shemotehnika ucheb posobie dlya vuzov 3 e izd pererab i dop SPb BHV Peterburg 2010 S 301 305 ISBN 978 5 9775 0162 0 V drugom yazykovom razdele est bolee polnaya statya EEPROM angl Vy mozhete pomoch proektu rasshiriv tekushuyu statyu s pomoshyu perevoda